70R600P场效应管参数:电流MOS管,N沟道,750V,7.3A,TO - 252封装。可用10n75代换。
场效应晶体管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、无二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,